ТГУ.Сотрудники
Теоретическое исследование вольт-амперных характеристик фоточувствительных nBn структур крт для ближнего и среднего ИК диапазонов
| Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др. |
| Год | 2019 |
| Язык | русский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ"), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ) |
| Библиографическая запись | Войцеховский А.В., Горн Д.И. Теоретическое исследование вольт-амперных характеристик фоточувствительных nBn структур крт для ближнего и среднего ИК диапазонов // Фундаментальные проблемы оптики – 2019. ФПО-2019 : сборник трудов XI Международной конференции, Санкт-Петербург, 21-25 октября 2019 г. СПб.: Университет ИТМО, 2019. С. 298. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность