Localization and nature of radiation donor defects in arsenic implanted MBE CdHgTe films grown by MBE
Авторы | автор Ижнин И. И. (Сотрудник другой организации), автор Фицыч Е. И. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Курбанов К. Р. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Ремесник В. Г. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Бончик А. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Савицкий Г. В. (Сотрудник другой организации), автор Swiatek Z. (Сотрудник другой организации), автор Morgiel J. (Сотрудник другой организации) |
Тип | Статья в журнале |
Год | 2020 |
Язык | английский |
Отдел | Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ) |
Библиографическая запись | Localization and nature of radiation donor defects in arsenic implanted MBE CdHgTe films grown by MBE / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 290‒295. DOI: 10.1007/s11182-020-02034-2 |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность