Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing

Авторы автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Ижнин И. И. (Сотрудник), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации)
Тип Статья в журнале
Год 2020
Язык английский
Отдел Научное управление, Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), деканат радиофизического факультета (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Nesmelov S.N. [et al] // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 392. P. 125760-1‒125760-5. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2020.125760
Направление науки
УДК