Current-voltage characteristics of nBn structures based on mercury cadmium telluride epitaxial films
Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации) |
Тип | Статья в журнале |
Год | 2019 |
Язык | английский |
Отдел | Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
Библиографическая запись | Current-voltage characteristics of nBn structures based on mercury cadmium telluride epitaxial films / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2019. Vol. 62, № 6. P. 1054‒1061. DOI: 10.1007/s11182-019-01813-w |
Направление науки | |
УДК | 621.315.592 |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность