TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells

Авторы автор Бончик А. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Савицкий Г. В. (Сотрудник другой организации), автор Swiatek Z. (Сотрудник другой организации), автор Morgiel Y. (Сотрудник другой организации), автор Ижнин И. И. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Фицыч Е. И. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации)
Тип Статья в журнале
Год 2020
Язык английский
Отдел Научное управление, Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells / Bonchik A.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z, Morgiel J. [et al] // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2867‒2871. DOI: 10.1007/s13204-019-01142-x
Направление науки
УДК