ТГУ.Сотрудники
Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2
| Авторы | автор Новиков В. А. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Копылова Т. Н. (Сотрудник), автор Дегтяренко К. М. (Сотрудник), автор Черников Е. В. (Сотрудник), автор Калыгина В. М. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2019 |
| Язык | русский |
| Отдел | Физический факультет, Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. физики полупроводников (ФФ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), каф. полупроводниковой электроники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ"), отделение фотоники (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2 / Новиков В.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 1. С. 79‒87. |
| Направление науки | |
| УДК | 621.315.592 |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность