ТГУ.Сотрудники
Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films
| Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Ижнин И. И. (Сотрудник), автор Сыворотка И. И. (Сотрудник другой организации), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Марин Д. В. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Ремесник В. Г. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2018 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films / Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Korotaev A.G., Dvoretsky S.A. [et al] // Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1115. P. 032063-1‒032063-5. DOI: 10.1088/1742-6596/1115/3/032063 |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность