Modeling of epitaxial quantum dots growth with respect to the interactions between islands

Авторы	автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Лозовой К. А. (Сотрудник)
Тип	Тезисы
Год	2018
Язык	английский
Отдел	Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись	Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A. Modeling of epitaxial quantum dots growth with respect to the interactions between islands // STRANN-2018. State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, VI International Conference, 17-19 october 2018, Moscow : abstracts. [S. l.], 2018. P. 181‒182.
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность