Profiles of radiation donor defects distribution in HgCdTe epitaxial films implanted with arsenic

Авторы автор Ижнин И. И. (Сотрудник другой организации), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Фицыч Е. И. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Бончик А. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Савицкий Г. В. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Ремесник В. Г. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации)
Тип Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др.
Год 2018
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Profiles of radiation donor defects distribution in HgCdTe epitaxial films implanted with arsenic / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Izhnin I.I., My'nbaev K.D. [et al] // 8-ма Украiнска наукова конференцiя з фiзики напiвпровiдникiв : матерiали конференцii (УНКФН-8), Ужгород, 2-4 жовтня 2018. Кн. 2. Ужгород: ТОВ "Piк-У", 2018. P. 327‒328.
Направление науки
УДК