Radiation donor defect profiles in arsenic-implanted HgCdTe film

Авторы автор Фицыч Е. И. (Сотрудник другой организации), автор Ижнин И. И. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Бончик А. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Савицкий Г. В. (Сотрудник другой организации), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Ремесник В. Г. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации)
Тип Тезисы
Год 2018
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Radiation donor defect profiles in arsenic-implanted HgCdTe film / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Izhnin I.I. [et al] // Сенсорна елелктронiка та мiлросистемнi технологii (CEMCT-8) (з виставкою разборок та промислових зразкiв сенсорiв), 8-ма Мiжнародна науково-технiчна конференцiя : тези доповiдей. Oдеса: Астропринт, 2018. P. 174.
Направление науки
УДК