Srucrural defects study of HgTe/CdHgTe quantum wells

Авторы автор Бончик А. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Савицкий Г. В. (Сотрудник другой организации), автор Swiatek Z. (Сотрудник другой организации), автор Morgiel Y. (Сотрудник другой организации), автор Ижнин И. И. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Фицыч Е. И. (Сотрудник другой организации), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник)
Тип Тезисы
Год 2018
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Srucrural defects study of HgTe/CdHgTe quantum wells / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Dvoretsky S.A., Bonchyk O.Yu. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomatherials" (NANO-2018), 27-30 august 2018, Kyiv : abstract book. Kiev: SME Burlaka, 2018. P. 710.
Направление науки
УДК