Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films
Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Ижнин И. И. (Сотрудник), автор Сыворотка И. И. (Сотрудник другой организации), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Ремесник В. Г. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации) |
Тип | Тезисы |
Год | 2018 |
Язык | английский |
Отдел | Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
Библиографическая запись | Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Syvorotka I.I., Korotaev A.G., My'nbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V. Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films //6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE 2018), 16-22 september 2018, Tomsk : abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2018. P. 354. |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность