ТГУ.Сотрудники
Admittance of MIS Structures Based on MBE Hg1-xCdxTe (x 0.21-0.23) in a Wide Temperature Range
| Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Кульчицкий Н. А. (Сотрудник другой организации), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2018 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Voitsekhovskii A.V., Kulchitsky N. A., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M. Admittance of MIS Structures Based on MBE Hg1-xCdxTe (x 0.21-0.23) in a Wide Temperature Range // Journal of Communications Technology and Electronics. 2018. Vol. 63, № 9. P. 1112‒1118. DOI: 10.1134/S1064226918090231 |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность