Влияние режимов ионно-лучевого травления на процесс радиационного нагрева CdxHg1-xTe

Авторы автор Талипов Н. Х. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2018
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. Влияние режимов ионно-лучевого травления на процесс радиационного нагрева CdxHg1-xTe // Прикладная физика. 2018. № 4. С. 61‒67.
Направление науки
УДК 621.315.592