Влияние режимов ионно-лучевого травления на процесс радиационного нагрева CdxHg1-xTe
Авторы | автор Талипов Н. Х. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник) |
Тип | Статья в журнале |
Год | 2018 |
Язык | русский |
Отдел | Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
Библиографическая запись | Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. Влияние режимов ионно-лучевого травления на процесс радиационного нагрева CdxHg1-xTe // Прикладная физика. 2018. № 4. С. 61‒67. |
Направление науки | |
УДК | 621.315.592 |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность