Исследование дефектообразования в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением

Авторы автор Средин В. Г. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Ананьин О. Б. (Сотрудник другой организации), автор Мелехов А. П. (Сотрудник другой организации), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Юрчак В. А. (Сотрудник другой организации)
Тип Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др.
Год 2018
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Исследование дефектообразования в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Средин В.Г. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 392‒394.
Направление науки
УДК