High-Sensitive Two-Layer Photoresistors Based on p-Cd x Hg1-xTe with a Converted Near-Surface Layer

Авторы	автор Исмайлов Н. Д. (Сотрудник другой организации), автор Талипов Н. Х. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2018
Язык	английский
Отдел	Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись	Ismailov N.D., Talipov N. Kh., Voitsekhovskii A.V. High-Sensitive Two-Layer Photoresistors Based on p-Cd x Hg1-xTe with a Converted Near-Surface Layer // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60, № 12. P. 2186‒2192. DOI: 10.1007/s11182-018-1344-3
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность