ТГУ.Сотрудники
Impact of the Graded-Gap Layer on the Admittance of MIS Structures Based on MBE-Grown n-Hg1-xCdxTe (x 0.22-0.23) with the Al2O3 Insulator
| Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Васильев В. В. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2018 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Impact of the Graded-Gap Layer on the Admittance of MIS Structures Based on MBE-Grown n-Hg1-xCdxTe (x 0.22-0.23) with the Al2O3 Insulator / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Vasil`ev V.V. [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2018. Vol. 63, № 3. P. 281‒284. DOI: 10.1134/S106422691803021X |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность