Impact of the Graded-Gap Layer on the Admittance of MIS Structures Based on MBE-Grown n-Hg1-xCdxTe (x 0.22-0.23) with the Al2O3 Insulator

Авторы автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Васильев В. В. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации)
Тип Статья в журнале
Год 2018
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Impact of the Graded-Gap Layer on the Admittance of MIS Structures Based on MBE-Grown n-Hg1-xCdxTe (x 0.22-0.23) with the Al2O3 Insulator / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Vasil`ev V.V. [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2018. Vol. 63, № 3. P. 281‒284. DOI: 10.1134/S106422691803021X
Направление науки
УДК