ТГУ.Сотрудники
Admittance of MIS-structures based on HgCdTe with a double-layer CdTe/Al2O3 insulator
| Авторы | автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Васильев В. В. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2018 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Admittance of MIS-structures based on HgCdTe with a double-layer CdTe/Al2O3 insulator / Dzyadukh S.M., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Sidorov G.Yu. [et al] // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60, № 11. P. 1853‒1863. DOI: 10.1007/s11182-018-1294-9 |
| Направление науки | |
| УДК | 621.315.592 |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность