ТГУ.Сотрудники
Defects in arsenic implanted p+-n- and n+-p-structures based on MBE grown CdHgTe films
| Авторы | автор Ижнин И. И. (Сотрудник), автор Фицыч Е. И. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Бончик А. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Савицкий Г. В. (Сотрудник другой организации), автор Swiatek Z. (Сотрудник другой организации) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2018 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Defects in arsenic implanted p+-n- and n+-p-structures based on MBE grown CdHgTe films / I.I. Izhnin, E.I. Fitsych, A.V. Voitsekhovskii, A.G. Korotaev [et al] // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60, № 10. P. 1752‒1757. DOI: 10.1007/s11182-018-1278-9 |
| Направление науки | |
| УДК | 538.911 |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность