Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Авторы автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Васильев В. В. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации)
Тип Статья в журнале
Год 2017
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, Г.Ю. Сидоров, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев. Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2 "Физика взаимодействия электромагнитного излучения с веществом". С. 202-205.
Направление науки
УДК 621.315.592