Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений

Авторы автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2017
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись С.Н. Несмелов, А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух. Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2 "Физика взаимодействия электромагнитного излучения с веществом". С. 198‒201.
Направление науки
УДК 621.315.592