ТГУ.Сотрудники
Расчет критической толщины перехода по СтранскомуКрастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
| Авторы | автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др. |
| Год | 2017 |
| Язык | русский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | К.А. Лозовой, А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский. Расчет критической толщины перехода по СтранскомуКрастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si //Актуальные проблемы радиофизики : сб. тр. VII Междунар. науч.-практ. конф., г. Томск, 18-22 сент. 2017 г. Томск: STT, 2017. С. 257-260. |
| Направление науки | |
| УДК | 621.315.592 |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность