Estimation of critical thickness of StranskiKrastanow transition in GeSi/Sn/Si system

Авторы	автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Пищагин А. А. (Аспирант), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2017
Язык	английский
Отдел	Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись	K A Lozovoy, A A Pishchagin, A P Kokhanenko, A V Voitsekhovskii. Estimation of critical thickness of StranskiKrastanow transition in GeSi/Sn/Si system // Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. P. 032012-1‒032012-3. DOI: 10.1088/1742-6596/917/3/032012
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность