ТГУ.Сотрудники
Annealing kinetics of radiation defects in boron-implanted p-Hg1-xCdxTe
| Авторы | автор Талипов Н. Х. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2018 |
| Язык | английский |
| Отдел | Научное управление, Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Talipov N.X., Voitsekhovskii A.V. Annealing kinetics of radiation defects in boron-implanted p-Hg1-xCdxTe // Semiconductor Science and Technology. 2018. Vol. 33, № 6. P. 065009-1‒065009-8. DOI: 10.1088/1361-6641/aac0a1 |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность