IInfluence of the Compositional Grading on Concentration of Majority Charge Carriers in Near-Surface Layers of n(p)-HgCdTe Grown by Molecular Beam Epitaxy

Авторы	автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2018
Язык	английский
Отдел	Научное управление, Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись	Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M. IInfluence of the Compositional Grading on Concentration of Majority Charge Carriers in Near-Surface Layers of n(p)-HgCdTe Grown by Molecular Beam Epitaxy // Journal of Electronic Materials. 2018. Vol. 47, № 5. P. 2694‒2702. DOI: 10.1007/s11664-018-6108-x
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность