ТГУ.Сотрудники
Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces
| Авторы | автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2018 |
| Язык | английский |
| Отдел | Научное управление, Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Kirill Lozovoy, Andrey Kokhanenko, Alexander Voitsekhovskii. Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces // Nanotechnology. 2018. Vol. 29, № 5. P. 054002-1—054002-7. DOI: 10.1088/1361-6528/aa9fdd |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность