Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors

Авторы автор Ижнин И. И. (Сотрудник другой организации), автор Fitsych O. I. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Дирко В. В. (Студент)
Тип Статья в журнале
Год 2018
Язык английский
Отдел Научное управление, Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors / Izhnin I.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A. [et al] // Opto-Electronics Review. 2018. Vol. 26, № 3. P. 195—200. DOI: 10.1016/j.opelre.2018.06.002
Направление науки
УДК