ТГУ.Сотрудники
Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
| Авторы | автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2018 |
| Язык | английский |
| Отдел | Научное управление, Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Kirill A. Lozovoy, Andrey P. Kokhanenko, Alexander V. Voitsekhovskii. Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems // Surface Science. 2018. Vol. 669. P. 45—49. DOI: 10.1016/j.susc.2017.11.006 |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность