Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)

Авторы автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2017
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись А.П. Коханенко, К.А. Лозовой, А.В. Войцеховский. Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111) //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27.
Направление науки
УДК 621.315.592