ТГУ.Сотрудники
Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
| Авторы | автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2017 |
| Язык | русский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | А.П. Коханенко, К.А. Лозовой, А.В. Войцеховский. Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111) //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27. |
| Направление науки | |
| УДК | 621.315.592 |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность