Luminescence studies of HgCdTe-and InAsSb-based quantum well structures

Авторы автор Ижнин И. И. (Сотрудник другой организации), автор Ижнин А. И. (Сотрудник другой организации), автор Фицыч Е. И. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник), автор Семакова А. А. (Сотрудник другой организации), автор Баженов Н. Л. (Сотрудник другой организации), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Зегря Г. Г. (Сотрудник другой организации)
Тип Тезисы
Год 2017
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Luminescence studies of HgCdTe-and InAsSb-based quantum well structures / Izhnin I.I., Izhnin A.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 560.
Направление науки
УДК