Electrical Properties of the MIS Structures Based on MBE HgCdTe with SiO2/Si3N4 and Al2O3 Insulating Layers
Авторы | автор Ижнин И. И. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Васильев В. В. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации) |
Тип | Тезисы |
Год | 2017 |
Язык | английский |
Отдел | Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
Библиографическая запись | Electrical Properties of the MIS Structures Based on MBE HgCdTe with SiO2/Si3N4 and Al2O3 Insulating Layers / I. Izhnin, A. Voitsekhovskii, S. Nesmelov, S. Dzyadukh [et al] // International Conference on Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications (OMEE-2017) : book of abstracts may 29 - june 2, 2017 Lviv. Lviv, 2017. P. 37. 1 electron. opt. disc. (CD-ROM). |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность