Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками

Авторы автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник)
Тип Тезисы
Год 2017
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" посвященная памяти профессора С.С. Горелика, 2-5 окт. 2017 г. Москва. Вторая Международная Школа Молодых Ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения" : тез. докл. [М.], 2017. С. 128. 1 электрон. опт. диск (CD-ROM).
Направление науки
УДК