ТГУ.Сотрудники
Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками
| Авторы | автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник) |
| Тип | Тезисы |
| Год | 2017 |
| Язык | русский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" посвященная памяти профессора С.С. Горелика, 2-5 окт. 2017 г. Москва. Вторая Международная Школа Молодых Ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения" : тез. докл. [М.], 2017. С. 128. 1 электрон. опт. диск (CD-ROM). |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность