Моделирование процессов роста квантовых точек пирамидальной и клиновидной формы в системе GexSi1-x/Si с учетом различных энергетических факторов

Авторы автор Лозовой К. А. (Аспирант), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник)
Тип Тезисы
Год 2016
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись К.А. Лозовой, А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский. Моделирование процессов роста квантовых точек пирамидальной и клиновидной формы в системе GexSi1-x/Si с учетом различных энергетических факторов //Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Кремний-2016. 12-15 сентября 2016 г. Новосибирск, 2016. С. 51.
Направление науки
УДК