ТГУ.Сотрудники
Properties of arsenic-implanted CdxHg1-xTe MBE structures
| Авторы | автор Фицыч Е. И. (Сотрудник другой организации), автор Ижнин И. И. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Бончик А. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Савицкий Г. В. (Сотрудник другой организации), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Swiatek Z. (Сотрудник другой организации), автор Ozga P. (Сотрудник другой организации) |
| Тип | Тезисы |
| Год | 2016 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Fitsych O.I., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Swiatek Z, Ozga P. Properties of arsenic-implanted CdxHg1-xTe MBE structures //7th International scientific and technical conference «Sensor Electronics and Microsystem Technologies» (SEMST-7). Ukraine, Odessa, 2016. P. 129. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность