Анализ барьерных структур типа nBn для фотодиодных примников ИК-излучения

Авторы автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник)
Тип Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др.
Год 2016
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Войцеховский А.В., Горн Д.И. Анализ барьерных структур типа nBn для фотодиодных примников ИК-излучения //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 408-412.
Направление науки
УДК