Анализ барьерных структур типа nBn для фотодиодных примников ИК-излучения
| Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др. |
| Год | 2016 |
| Язык | русский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Войцеховский А.В., Горн Д.И. Анализ барьерных структур типа nBn для фотодиодных примников ИК-излучения //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 408-412. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность