ТГУ.Сотрудники
Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well
| Авторы | автор Ижнин И. И. (Сотрудник), автор Фицыч Е. И. (Сотрудник другой организации), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник, Студент) |
| Тип | Тезисы |
| Год | 2015 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ"), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ) |
| Библиографическая запись | Izhnin I.I., Fitsych O.I., Nesmelov S. N., Dzyadukh S.M., Voitsekhovskii A. V., Gorn D. I. Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well //The International research and practice Conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (NANO-2015). Abstracts Book of participants of the International Summer School and International research and practice Conference. Lviv: Eurosvit, 2015. P. 364. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность