Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K

Авторы	автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник, Студент)
Тип	Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др.
Год	2015
Язык	английский
Отдел	Научное управление, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись	Voitsekhovskii A. V., Nesmelov Sergei Nikolaevich, Dziadukh Stanislav Mikhailovich, Gorn Dmitrii Igorevich. Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K //СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Материалы 25 -й Международной Крымской конференции. Том 1. Севастополь, 2015. P. 739-740.
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность