Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K
Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник, Студент) |
Тип | Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др. |
Год | 2015 |
Язык | английский |
Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
Библиографическая запись | Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S.N., Dziadukh S. M., Gorn D. I. Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 739-740. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка. |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность