Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
| Авторы | автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Лозовой К. А. (Сотрудник, Студент), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др. |
| Год | 2015 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ"), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ) |
| Библиографическая запись | Kokhanenko A. P., Lozovoi K. A., Voitsekhovskii A. V. Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 709-710. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка. |
| Направление науки | |
| УДК | |
| Ссылка на экземпляр в электронной библиотеке | http://chamo.lib.tsu.ru/lib/item?id=chamo:520314 |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность