Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges

Авторы автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Лозовой К. А. (Сотрудник, Студент), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник)
Тип Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др.
Год 2015
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ"), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись Kokhanenko A. P., Lozovoi K. A., Voitsekhovskii A. V. Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 709-710. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка.
Направление науки
УДК
Ссылка на экземпляр в электронной библиотеке http://chamo.lib.tsu.ru/lib/item?id=chamo:520314