ТГУ.Сотрудники
Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe
| Авторы | автор Новиков В. А. (Сотрудник), автор Григорьев Д. В. (Сотрудник), автор Безродный Д. А. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации) |
| Тип | Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др. |
| Год | 2015 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ"), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ) |
| Библиографическая запись | Novikov V.A., Grigoryev D. V., Bezrodnyy D. A., Voitsekhovskii A. V., Dvoretskii S. A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V. Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe //Conference book of 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials. Paris, France: Open Publishing Association, 2015. P. 345. |
| Направление науки | |
| УДК | |
| Ссылка на экземпляр в электронной библиотеке | http://chamo.lib.tsu.ru/lib/item?id=chamo:620311 |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность