UV photodetectors based on wide-gap AlGaN semiconductors
| Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник) |
| Тип | Тезисы |
| Год | 2015 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ"), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ) |
| Библиографическая запись | Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N. UV photodetectors based on wide-gap AlGaN semiconductors //The 12th International Conference "Atomic and Molecular Pulsed Lasers": Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 121. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность