ТГУ.Сотрудники
Comparison of Background Donor Concentration in HgCdTe Grown With Different Technologies
| Авторы | автор Бончик А. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Mohylyak I. A. (Сотрудник другой организации), автор Савицкий Г. В. (Сотрудник другой организации), автор Фицыч Е. И. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Ижнин И. И. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др. |
| Год | 2015 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ"), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ) |
| Библиографическая запись | Bonchyk A.Yu., Mohylyak I.A., Savitskii G. V., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A. V., Izhnin I.I. Comparison of Background Donor Concentration in HgCdTe Grown With Different Technologies //Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems. Materials of XV International Conference / Ed. by Honored scientist of Ukraine, Dr. Chem. Sci., Prof. Freik D.M. Ivano-Frankivsk, 2015. P. 258. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность