Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe

Авторы автор Новиков В. А. (Сотрудник), автор Григорьев Д. В. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации)
Тип Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др.
Год 2015
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ"), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись Новиков В.А., Григорьев Д.В., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe //Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. Том II. Нижний Новгород, 2015. С. 601-602.
Направление науки
УДК