Исследование состояния поверхности Si при молекулярно-лучевой эпитаксии наноостровков Ge методом регистрирующей дифрактометрии

Авторы	автор Торопов Н. А. (Студент), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Никифоров А. И. (Сотрудник), автор Бармин Н. Н. (Студент)
Тип	Статья в журнале
Год	2010
Язык	русский
Отдел	Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись	Торопов Н.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В., Никифоров А.И., Бармин Н.Н. Исследование состояния поверхности Si при молекулярно-лучевой эпитаксии наноостровков Ge методом регистрирующей дифрактометрии //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9/3. С. 167-168.
Направление науки
УДК	621.31:535.215

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность