Анализ морфологии поверхности МЛЭ наноструктур Si (100) с квантовыми точками Ge методами сканирующей зондовой микроскопии

Авторы	автор Торопов Н. А. (Студент), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Никифоров А. И. (Сотрудник), автор Новиков В. А. (Сотрудник), автор Турапин А. М. (Сотрудник, Студент)
Тип	Статья в журнале
Год	2010
Язык	русский
Отдел	Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись	Торопов Н.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В., Никифоров А.И., Новиков В.А., Турапин А.М. Анализ морфологии поверхности МЛЭ наноструктур Si (100) с квантовыми точками Ge методами сканирующей зондовой микроскопии //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9/3. С. 165-166.
Направление науки
УДК	621.31:535.215

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность