Energy-band diagrams and capacity-voltage characteristics of CdxHg1-xTe-based variband structures calculated with taking into account dependence of electron affinity on a composition

Авторы автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник, Студент), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Коханенко А. П. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2010
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I., Nesmelov S.N., Koxanenko A.P. Energy-band diagrams and capacity-voltage characteristics of CdxHg1-xTe-based variband structures calculated with taking into account dependence of electron affinity on a composition //Opto-Electronics Review. 2010. Vol. 18, № 3. P. 241-245.
Направление науки
УДК