Energy-band diagrams and capacity-voltage characteristics of CdxHg1-xTe-based variband structures calculated with taking into account dependence of electron affinity on a composition
Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник, Студент), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Коханенко А. П. (Сотрудник) |
Тип | Статья в журнале |
Год | 2010 |
Язык | английский |
Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
Библиографическая запись | Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I., Nesmelov S.N., Koxanenko A.P. Energy-band diagrams and capacity-voltage characteristics of CdxHg1-xTe-based variband structures calculated with taking into account dependence of electron affinity on a composition //Opto-Electronics Review. 2010. Vol. 18, № 3. P. 241-245. |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность