О механизме формирования n+-n--p структур при ионной имплантации CdxHg1-xTe p-типа

Авторы автор Талипов Н. Х. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник)
Тип Тезисы
Год 2014
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. О механизме формирования n+-n--p структур при ионной имплантации CdxHg1-xTe p-типа //Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых). Тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 38.
Направление науки
УДК