О механизме формирования n+-n--p структур при ионной имплантации CdxHg1-xTe p-типа
| Авторы | автор Талипов Н. Х. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник) |
| Тип | Тезисы |
| Год | 2014 |
| Язык | русский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. О механизме формирования n+-n--p структур при ионной имплантации CdxHg1-xTe p-типа //Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых). Тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 38. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность