Modeling the Formation Kinetics of Wedge-Shaped Germanium Quantum Dots on Silicon

Авторы	автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Лозовой К. А. (Сотрудник, Студент)
Тип	Статья в журнале
Год	2014
Язык	английский
Отдел	Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись	Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoj K.A. Modeling the Formation Kinetics of Wedge-Shaped Germanium Quantum Dots on Silicon //Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2014. Vol. 78, № 10. P. 1058-1062.
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность