Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Авторы	автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Кульчицкий Н. А. (Сотрудник другой организации), автор Мельников А. А. (Сотрудник другой организации), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Лозовой К. А. (Сотрудник, Студент)
Тип	Статья в журнале
Год	2014
Язык	русский
Отдел	Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись	Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией //Нано- и микросистемная техника. 2014. № 9. С. 20-31.
Направление науки
УДК	621.315

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность