ТГУ.Сотрудники
Special features of admi ttance in MIS structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe (x = 0.31-0.32) in a temperature range of 8-300 K
| Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Васильев В. В. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Кузьмин В. Д. (Сотрудник другой организации), автор Ремесник В. Г. (Сотрудник другой организации) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2014 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Special features of admi ttance in MIS structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe (x = 0.31-0.32) in a temperature range of 8-300 K / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M., Vasil`ev V.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 5. P. 633‒641. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность